Висхаи представља нове 1200 В СиЦ Шотки диоде треће генерације за побољшање енергетске ефикасности и поузданости дизајна прекидачког напајања

Уређај усваја дизајн МПС структуре, називну струју 5 А ~ 40 А, мали пад напона напред, ниско пуњење кондензатора и ниску струју повратног цурења

Висхаи Интертецхнологи, Инц. (НИСЕ: ВСХ) је данас најавио лансирање 16 нових Шоткијевих диода треће генерације од 1200 В силицијум карбида (СиЦ). Висхаи Семицондуцторс карактерише хибридни ПИН Сцхоттки (МПС) дизајн са високом заштитом од пренапонске струје, малим падом напона напред, ниским капацитивним пуњењем и малом струјом повратног цурења, помажући да се побољша енергетска ефикасност и поузданост дизајна прекидачког напајања.

Нова генерација СиЦ диода најављена данас укључује 5 А ТО 40 А уређаја у ТО-220АЦ 2Л, ТО-247АД 2Л и ТО-247АД 3Л плуг-ин пакетима и Д2ПАК 2Л (ТО-263АБ 2Л) пакетима за површинску монтажу. Због структуре МПС-а – коришћењем технологије ласерског жарења повратног стањивања – напуњеност диодног кондензатора је само 28 нЦ, а пад напона унапред је смањен на 1,35 В. Поред тога, типична реверзна струја цурења уређаја на 25 °Ц је само 2,5 µА, чиме се смањују губици укључивања и искључивања и обезбеђују висока енергетска ефикасност током периода светлости и без оптерећења. За разлику од ултрабрзих диода за опоравак, уређаји треће генерације имају мало или нимало заостајања за опоравак, што омогућава даље повећање ефикасности.

Типичне примене силицијум карбидних диода укључују ФБПС и ЛЛЦ претвараче за корекцију фактора снаге АЦ/ДЦ (ПФЦ) и ДЦ/ДЦ УХФ излазно исправљање за фотонапонске претвараче, системе за складиштење енергије, индустријске драјвове и алате, центре података и још много тога. У овим тешким применама, уређај ради на температурама до +175°Ц и обезбеђује заштиту од пренапонске струје до 260 А. Поред тога, диода пакета Д2ПАК 2Л користи материјал за пластификацију високог ЦТИ ³ 600 како би се обезбедила одлична изолација када је напон диже се.

Уређај је веома поуздан, усаглашен са РоХС, без халогена и прошао је 2000 сати тестирања високе температуре обрнутог пристрасности (ХТРБ) и 2000 температурних циклуса термичког циклуса.